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    In2P3Se9晶体
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    ZrSe2晶体
    ZrSe3晶体
    CdPS3晶体
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    Sb2S3晶体
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    SnPS3晶体
    SiTe2晶体
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    PbS晶体
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    GeTe晶体
    GaPS4晶体
    GaGeTe晶体
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    AgInP2S6晶体
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    MoReSe4晶体
    MoNbS4晶体
    GaS晶体
    Semimetal/Metal/Superconductor
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    CrTe2晶体
    In3SbTe2晶体
    Nb3GeTe6晶体
    NbS2晶体
    NbSe2晶体
    NbTe4晶体
    NiCoSe2晶体
    PdSe2晶体
    TaCo2Te2晶体
    TaS2晶体
    TaSe2晶体
    TaTe2晶体
    TiS2晶体
    TiSe2晶体
    VS2晶体
    VSe2晶体
    WTe2晶体
    V2NiSe4晶体
    TaNi2Te3晶体
    CuInS2晶体
    Insulator
    hBN晶体
    其它晶体
    二维氧化物
    MoO3 晶体
    二维卤化物
    NiI2晶体
    PbI2晶体
    VI3晶体
    二维红外材料
    Ag2Te
    AgInP2S6
    AgInP2Se6
    AgTaS3
    Bi
    Bi2O2Se
    Bi2Se3
    Bi2Se3(掺Co)
    Bi2Te3
    Bi4Pb7Se13
    BiSe
    Co2Bi2Te5
    CoBi2Te4
    CoBi4Se7
    CoBi4Te7
    Cr2Ge2Te6 (CrGeTe3)
    Cr2S3
    Cr2Si2Te6 (CrSiTe3)
    CrBi2Te4
    CrBi4Te7
    CrI3
    CrPS4
    CrTe2
    Cu3Se2
    CuCrP2S6
    CuIn7Se11
    CuInP2Se6
    CuInS2
    FePS3
    GaGeTe
    GeBi2Te4
    GeBi4Te7
    GePbS3
    GeSb4Te7
    GeS
    GeSe
    GeTe
    HfSe2
    HfTe2
    HgPSe3
    In2GaBi2S6
    In2Se3
    In2Te5
    In3SbTe2
    InBi
    InSb
    Mn2Bi2Se5
    Mn2Bi2Te5
    MnBi4Se7
    MnBi4Te7
    MoTe2
    Nb2SiTe4
    NbTe2
    NbTe4
    Ni2Bi2Te5
    Ni2SiTe4
    NiBi2Te4
    NiBi4Te7
    NiCoSe2
    NiPS3
    NiTe
    Pb2Bi2Te5
    PbBi4Te7
    PbBi6Te10
    PbSb2Te4
    PbSe
    PbSnS2
    PbSnSe2
    PbS
    PdSe2
    PdTe2
    Sb16Te3
    CuCrP2S6
    Sb2Te2Se
    Sb2TeSe2
    Sb2Te
    SbTe
    Si2CuP3
    SiTe2
    SnBi2Te4
    SnBi4Te7
    SnPS3
    SnPSe3
    SnSe2
    SnSe
    SnS
    SnTe
    Ta2NiS5
    Ta2NiSe5
    TaCo2Te2
    TaNi2Te2
    TaNi2Te3
    TaTe2
    Te
    V2NiSe4
    Zr5Te4
    ZrGeTe4
    ZrS2
    ZrS3
    ZrSe2
    ZrSe3
    ZrTe3
    ZrTe5
    二维超导材料
    Nb3GeTe6
    NbTe4
    PdTe2
    Ta2NiS5
    Ta2NiSe5
    Ta2NiTe5
    TaCo2Te2
    TaNi2Te2
    TaTe2
  • 二维粉体材料
    黑磷
    Ag
    Ag2Te
    AgCrSe2
    AgCuTe2
    Ag3Sb
    AgInP2S6
    AgInP2Se6
    AgInP2Se6
    AgTaS3
    Bi
    Bi2O2Se
    Bi2O2Te
    Bi2S3
    Bi2Se3
    Bi2Te3
    BiSe
    BiTe
    Bi4Pb7Se13
    Cd
    CdI2
    CdPS3
    Co
    Co2Bi2Te5
    CoBi2Te4
    CoBi4Se7
    CoBi4Te7
    Cr
    AgCrSe2
    Cr2Ge2Te6
    Cr2Si2Te6
    CrBr3
    CrI3
    CuCrP2S6
    Cr2S3
    CrBi2Te4
    CrBi4Te7
    CrPS4
    CrSiTe3
    CrTe2
    Cu
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    CuIn7Se11
    CuInP2S6
    Si2CuP3
    Cu3SbS3
    Cu3Se2
    CuBi3PbS6
    CuInP2Se6
    CuInS2
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    Fe
    FePS3
    FePSe3
    Fe3GeTe2
    Ga
    GaS
    GaSe
    GaTe
    GaGeTe
    GaPS4
    Ge
    GeS
    GeSe
    Fe3GeTe2
    ZrGeTe4
    GeBi2Te4
    GePbS3
    GeSb4Te7
    GeTe
    Hf
    HfSe2
    HfTe2
    HfS2
    HfS3
    HfTe5
    Hg
    HgPSe3
    In
    CuIn7Se11
    CuInP2S6
    In2Se3
    In2P3Se9
    InSe
    In2GaBi2S6
    In2P3S9
    In2Te5
    In3SbTe2
    InBi
    InSb
    InSiTe3
    Mn
    MnPS3
    MnPSe3
    Mn2Bi2Se5
    Mn2Bi2Te5
    MnBi2Se4
    MnBi4Se7
    MnBi4Te7
    MnSb2Te4
    Mo
    MoS2
    MoSe2
    MoSSe
    MoTe2
    MoWS4 (MoxW1-xS4)
    MoWSe4 (MoxW1-xSe4)
    MoNbS4
    MoNbSe4
    MoO3
    MoReSe4
    MoTaSe4
    MoVSe4
    MoWS2
    MoWSe4
    Nb
    NbReS2
    NbReSe2
    NbS2
    NbSe2
    NbTe2
    Nb2SiTe4
    Nb3GeTe6
    Nb3GeTe6
    NbReS4
    NbTe4
    Ni
    NiPS3
    Ni2SiTe4
    Ni2Bi2Te5
    NiBi2Te4
    NiBi4Te7
    NiCoSe2
    NiI2
    NiTe2
    NiTe
    Pb
    PbI2
    PbSnS2
    PbSnSe2
    Pb2Bi2Se5
    Pb2Bi2Te5
    PbBi4Te7
    PbBi6Te10
    PbSb2Te4
    PbSe
    PbSnS2
    PbS
    PdSe2
    Pd
    PdS2
    PdSe2
    PdTe2
    Pt
    PtSe2
    PtTe2
    Re
    ReS2
    ReSe2
    Sb
    Sb2Te3
    Sb16Te3
    Sb2S3
    Sb2Te2Se
    Sb2TeSe2
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    SnS
    SnS2
    SnSe
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    Ta2NiS5
    Ta2NiSe5
    Ta2NiTe5
    TaS2
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    WSSe
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    WTe2
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    Zr
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    ZrS3
    ZrSe2
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    ZrTe3
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    钙钛矿量子点
    钙钛矿粉体
    钙钛矿前驱体溶液
    钙钛矿薄膜
    CsPbX3
    MAPbX3
    FAPbX3
  • 异质结定制
  • 微纳器件
  • 微纳加工定制服务
  • 机械剥离单层材料定制
  • 电极定制
  • 定制硅片耗材
  • 磁性纳米颗粒
  • 量子点、纳米片
  • 碳量子点
  • 上转换发光材料
  • 贵金属纳米材料
新闻详情

2022-8-5深圳六碳科技和复旦大学合作在《Science Advance》上发表 《基于二维半导体的619像素机器视觉增强芯片》

深圳六碳科技作为作者单位之一,负责了文章中所用的二维材料制备工作。


Abstract

The rapid development of machine vision applications demands hardware that can sense and process visual information in a single monolithic unit to avoid redundant data transfer. Here, we design and demonstrate a monolithic vision enhancement chip with light-sensing, memory, digital-to-analog conversion, and processing functions by implementing a 619-pixel with 8582 transistors and physical dimensions of 10 mm by 10 mm based on a wafer-scale two-dimensional (2D) monolayer molybdenum disulfide (MoS2). The light-sensing function with analog MoS2 transistor circuits offers low noise and high photosensitivity. Furthermore, we adopt a MoS2 analog processing circuit to dynamically adjust the photocurrent of individual imaging sensor, which yields a high dynamic light-sensing range greater than 90 decibels. The vision chip allows the applications for contrast enhancement and noise reduction of image processing. This large-scale monolithic chip based on 2D semiconductors shows multiple functions with light sensing, memory, and processing for artificial machine vision applications, exhibiting the potentials of 2D semiconductors for future electronics.




复旦大学周鹏/包文中团队成功研制新原理机器视觉增强芯片

来源:微电子学院发布时间:2022-08-04

机器视觉广泛应用于工业制造,自动驾驶、医学成像及民用安防等场景。现有的机器视觉技术通常基于硅基CMOS技术,需要在图像传感和信号处理电路之间进行复杂和高带宽的互连。随着机器视觉应用的快速发展和图像信息复杂度提升,传统的“传感-信息处理”分离的架构越来越难以满足高算力、低功耗及小体积的图像信号处理需求,更希望能够在单个芯片中同时进行视觉感知和信息处理,来避免冗余数据传输。

新型二维原子晶体具有原子层厚度、表面无悬挂键、易于集成等特性。目前国内外前沿研究成果表明二维材料在集成感知、存储、计算等能力方面有着极大的优势,有望弥补现有硅基光电传感与图像处理技术的不足。然而绝大部分的国际研究仍然停留在简单的单元器件,推向落地应用的大面积集成电路工作鲜有报道。

近日,复旦大学周鹏/包文中团队利用晶圆级二维原子晶体硫化钼成功制备了大规模机器视觉增强芯片。8月3日,工作进展以《基于二维半导体的619像素机器视觉增强芯片》(“A 619-Pixel Machine Vision Enhancement Chip Based on Two Dimensional Semiconductors”)为题发表于国际期刊《科学前沿》(Science Advances)。

在这项工作中,研究团队首先成功生长了高质量均匀的两英寸二维材料(MoS2)晶圆,并开发了适用于二维集成电路的集成电路制造工艺。这种单原子层的MoS2具有优异的半导体特性,兼具信号处理和光电传感的作用。此工作中部分MoS2场效应晶体管采用了高透明度的顶栅,所以具有良好的光感应能力;而不透明的顶栅晶体管,则构成了信号处理电路。在此基础上利用level-62 SPICE模型构建了MoS2晶体管仿真模型,对视觉增强电路中的模拟电路进行仿真和优化,最终实现了10 mm×10 mm的机器视觉增强芯片。

本工作是迄今为止国际上最大集成规模的新型晶圆级二维半导体机器视觉增强芯片。在单片上集成了619个光电“感算一体”像素单元。其中,数模转换器模块可以对任一像素进行动态控制,从而准确调整每个成像单元的光电流,降低外围电路设计复杂度与数据处理的难度,并同时实现成像增强和降噪功能。实际测试结果证明该芯片可以实现光传感、存储、处理和图像增强功能一体化,并且具有低噪声和高灵敏度的特点,可获得了90 dB以上的高动态光感应范围,接近人眼的识别效果。而且芯片具有植入柔性、透明和生物相容性特点,开拓了二维芯片的工业的应用领域和产业化进程,在机器视觉、视觉增强和虚拟现实领域具有巨大应用潜力。

微电子学院马顺利副教授,信息科学与工程学院博士后吴天祥、微电子学院博士生陈新宇为本文的共同第一作者;微电子学院包文中研究员、周鹏教授、香港理工大学柴杨教授为该工作的共同通讯作者。研究得到了科技部重点研发计划、国家自然科学基金杰出青年基金、上海市教委创新计划的支持。

图. 基于二维半导体的机器视觉增强芯片。右边放大的每个单元像素电路中集成了信号“传感-存储-计算”功能。

论文链接:https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.abn9328

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