GeBi2Te4晶体
材料名称 Name |
GeBi2Te4
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性质分类 Electrical properties | 拓扑绝缘体,红外材料 Topological Insulators |
禁带宽度 Bangap | 0.837 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
晶体结构 Crystal Structure | trigonal |
剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation |
易 Easy |
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参考文献
Shamoto, Shin-ichi, et al. "Structural study on optical recording materials Ge2Sb2+ xTe5 and GeBi2Te4." Physica B: Condensed Matter 385 (2006): 574-577.
Tichý, L., M. Frumar, and J. Klikorka. "Some electrical properties of GeBi2Te4 single crystals." physica status solidi (a) 56.1 (1979): 323-326.
Sterzi, A., et al. "Probing band parity inversion in the topological insulator GeBi2Te4 by linear dichroism in ARPES." Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 225 (2018): 23-27.
Collaboration: Authors and editors of the volumes III/17H-17I-41E. "PbSb2S4, GeSb2Te4, GeBi2Te4, SnBi2Te4 crystal structure, physical properties." Ternary Compounds, Organic Semiconductors (2000): 1-5.
Iwaya, Katsuya, et al. "STM Studies of ternary topological insulators GeBi2Te4 and SnBi2Te4." APS Meeting Abstracts. 2014.
Marcinkova, A., et al. "Topological metal behavior in GeBi 2 Te 4 single crystals." Physical Review B 88.16 (2013): 165128.
实物图片

晶体结构和能带结构


EDS元素分析

粉体XRD

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