InBi晶体
材料名称 Name |
InBi
|
性质分类 Electrical properties |
拓扑绝缘体 Topological Insulators |
禁带宽度 Bangap | 0 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation | 中 Medium |
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参考文献
Degtyareva, V. F., M. Winzenick, and W. B. Holzapfel. "Crystal structure of InBi under pressure up to 75 GPa." Physical Review B 57.9 (1998): 4975.
Akgöz, Y. C., J. M. Farley, and G. A. Saunders. "The elastic behaviour of InBi single crystals." Journal of Physics and Chemistry of Solids 34.2 (1973): 141-149.
Bhatt, V. P., and C. F. Desai. "Temperature dependence of vickers microhardness and creep of InBi single crystals." Bulletin of Materials Science 4.1 (1982): 23-28.
实物图

晶体结构和能带结构


EDS 元素分析

研磨成粉体测试XRD

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